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中国科学家突破闪存速度极限:二维材料助力全球最快闪存

发布时间:2025-08-02 09:30:35       阅读量: 332

【导语】你是否曾遭遇电脑系统崩溃导致文档未保存,或开机、游戏加载缓慢等令人抓狂的体验?这些烦恼很大程度上源于当前闪存技术的速度限制。然而,中国科学家在闪存技术上取得了重大突破。复旦大学研究团队发明了世界上最快的闪存芯片,每秒存取速度高达25亿次,比现有最快闪存快了上千倍。这项技术不仅有望解决电子设备卡顿问题,还可能颠覆存储架构,提升AI学习效率。尽管还需时间从研发走向量产,但这无疑标志着中国在存储芯片领域的重大进步,未来或将彻底改变我们的数字生活体验。

撰文丨(gǔn)孙(sūn)仲(zhòng) 北(běi)京(jīng)大(dà)学(xué)研(yán)究(jiū)员(yuán)

回(huí)想(xiǎng)一(yī)下(xià),你(nǐ)是(shì)不(bù)是(shì)遇(yù)到(dào)过(guò)这(zhè)样(yàng)的(de)情(qíng)况(kuàng)?正(zhèng)在(zài)电(diàn)脑(nǎo)上(shàng)奋(fèn)笔(bǐ)疾(jí)书(shū),突(tū)然(rán)系(xì)统(tǒng)崩(bēng)溃(kuì),而(ér)你(nǐ)的(de)文档(dàng)还(hái)没来得及保存——或者开机时系统迟迟加载,游戏加载地图时卡在进度条……这些令人抓狂的体验,很大程度上源于当前闪存技术的速度限制。你的电脑或手机里的硬盘(存储卡)主要就是闪存,它能长期保存数据,但存取数据的速度却很慢。不过,最近中国科学家在这方面取得了突破,来自复旦大学的研究团队发明了世界上最快的闪存芯片,每秒能存取25亿次,比现在最快的闪存快了上千倍!

现在的闪存技术已(yǐ)经(jīng)沿(yán)用(yòng)了(le)几(jǐ)十年,像固态硬盘、U盘都是使用的这项技术。它是一种电荷型存储器,通过电信号控制电荷的进出,实现数据0和1的存储。这里顺便提一下,电脑和手机里的另一种存储器——内存(也就是DRAM),也是一种电荷存储器。两者的工作模式很不一样,内存主要用于数据交换,速度很快,但是不能长时间保存数据,一断电数据就会丢失;闪存则主要用于数据的长期保存,断电也不会丢失,但是,它在速度上存在先天不足,这是由它的工作原理所限制的。

传统闪存主要通过两种方式存储数据:一种是给存储单元施加高电压,通过一种叫FN量子隧穿的方(fāng)式(shì),强(qiáng)行(xíng)让(ràng)电(diàn)子(zi)穿(chuān)过(guò)绝(jué)缘(yuán)层(céng),进(jìn)入(rù)存(cún)储层;另一种是给电子加速,让它获得足够的能量,“跳”进存储层,叫作热载流子注入。这两种方法要么需要很高的电压,要么就是速度太慢。更麻烦的是,反复高压操作还会损伤芯片,这就是为什么U盘、手机用久了会变慢甚至报废。

这次复旦大学团队的黑科技,简单说就是改变了电荷的搬运方式,引入了一个新的存储方式,叫做“二维热载流子注入”。什么意思呢?传统闪存是利用硅材料作为电子通道,电子在里面移动缓慢、能量低、容易碰撞,就像一辆面包车挤在拥堵的城市道路上,速度慢还容易“剐蹭”;利用二维材料做通道,情况就完全不同了,电场给电子的加速更快,同时散射少,就像一辆法拉利跑在畅通无阻的高速公路上。这种情况电子能很快获得高能量,然后跳进存储层,实现数据的快速写入。测试结果显示,这项技术实现了400皮秒(ps)的写入速度,比现有最快的闪存都要快上千倍,甚至超过了内存的速度。

这项技术突破的关键在于三个方面的创新:首先是材料制备,他们开发出能够获得原子级平整二维材料的特殊工艺;其次是结构设计,通过在石墨烯上下堆叠超薄绝缘(yuán)层(céng),既(jì)防(fáng)止(zhǐ)了(le)电(diàn)荷(hé)泄(xiè)漏(lòu)又(yòu)能(néng)精(jīng)确(què)控(kòng)制(zhì)电(diàn)场(chǎng);最(zuì)后(hòu)是(shì)制(zhì)造(zào)工(gōng)艺(yì),通(tōng)过(guò)纳(nà)米(mǐ)级(jí)精(jīng)度(dù)的(de)加(jiā)工(gōng)技(jì)术(shù),制(zhì)作(zuò)出(chū)精(jīng)密(mì)的(de)电(diàn)极(jí)结(jié)构(gòu),确(què)保(bǎo)电(diàn)子(zi)能(néng)够(gòu)精(jīng)准(zhǔn)投(tóu)送(sòng)。

这(zhè)项(xiàng)技(jì)术(shù)的意义不仅是让手机变快那么简单,它有可能颠覆电子设备的存储架构。刚才提到,现在的电子设备要靠两种存储器配合工作:速度快但断电就丢失数据的内存,和速度慢但能长期保存的闪存。中国这款新型闪存能够把两者的优点合二为一,未来可能会彻底改变电子设备的架构设计,只需要一种存储器就能让电子设备高效工作。现在大家都关注AI的应用,这项技术也可能派上大用场。如今AI模型的训练过程中,极大一部分时间消耗在“等数据”上,如果数据读写提速,AI学习速度可能提升十倍,自动驾驶、语音助手的反应时间都会大幅缩短。

尽管从实验室研发到大规模量产可能还需要一段时间,但这项成果无疑标志(zhì)着(zhe)中(zhōng)国(guó)在(zài)存储芯片领域的重大突破。研究团队表示,这项技术已经具备初步产业化条件,有望在不久的将来投入实际应用。说不定用不了几年,我们就能(néng)在(zài)电(diàn)子(zi)设(shè)备(bèi)上(shàng)见(jiàn)到它,那个时候,那些“卡顿”“加载慢”“突然死机”的烦恼,很可能将成为历史。

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